Научная электронная библиотека ULRICH'S Periodicals Directory

Сибирский государственный университет
науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева

Сибирский аэрокосмический журнал
ISSN 2712-8970 (Print) ISSN 2782-5760 (on-line)

Сведения об образовательной организации

UDK УДК 548.4 Doi: 10.31772/2712-8970-2022-23-2-315-320
Равновесное распределение дефектов в теллуриде кадмия до воздействия внешних факторов
Паклин Н. Н., Логинов Ю. Ю., Мозжерин А. В.
Сибирский федеральный университет, Российская Федерация, 660041, г. Красноярск, просп. Свободный, 79; Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева, Российская Федерация, 660037, г. Красноярск, просп. им. газ. «Красноярский Рабочий», 31
Надежность электронного оборудования, в том числе и в аэрокосмической отрасли, как в нормальных, так и в экстремальных условиях сопряжена с деградацией материалов ввиду формирования и развития дефектной сети. Теллурид кадмия – один из полупроводников, который активно используется при создании солнечных элементов и современных устройств микроэлектроники. В работе предложена модель распределения точечных дефектов в теллуриде кадмия до воздействия какого-либо ионизирующего излучения, что позволило рассчитать эффективную энергию тепловой активации пары Френкеля – 1,37 эВ. Исследования особенностей формирования и эволюции дефектов с применением методов моделирования в теллуриде кадмия, в перспективе позволит повысить качество его технологического использования, экономя финансовые ресурсы и повышая надежность изделий.
Ключевые слова: теллурид кадмия, динамика структурных дефектов, энергия тепловой активации.
References

1.   Yujiea L., Guolic M., Wanqi J. Point defects in CdTe // Journal of Crystal Growth. 2003. Vol. 256. P. 266–275.

2.   Логинов Ю. Ю., Браун П. Д., Дьюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6. М. : Логос, 2003. 304 с.

3.   Loginov Y. Y., Mozzherin A. V., Paklin N. N. Particularities of the interstitial atoms and vacancies clusters formation in a thin cadmium telluride foil during in situ electron irradiation in a TEM // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. 2022. Vol. 1230. P. 012013. Doi:10.1088/1757-899X/1230/1/012013.

4.   Djafari-Rouhani M., Gue A., Idrissi-Saba H., Esteve D. Simulation a l'echelle atomique de la formation des boucles de dislocation sous irradiation // Journal de Physique I. 1994. Vol. 4 (3). P. 453–466.

5.   Loginov Yu. Yu., Mozzherin A. V., Bril’kov A. V. Dependence of the Critical Radius of Partial Dislocation Loops on the Stacking Fault Energy in Semiconductors // Physics of the Solid State. 2014. Vol. 56, No. 4. P. 720–722.

6.   Горичок И. В. Энтальпия образования дефектов Шоттки в полупроводниках // ФТТ. 2012. Т. 54, вып. 3. С. 1373–1376.

7.   Freysoldt C, Grabowski B, Hickel T, Neugebauer J, Kresse G, Janotti A, Van de Walle C. G. First-principles calculations for point defects in solids // Rev. Mod. Phys. 2014. Vol. 86, No. 1. P. 27–39.

8.   Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках. М. : Мир, 1979. С. 9–162.

9.   Вавилов В. С., Кив А. Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов
в полупроводниках. М. : Наука, 1981. 368 c.

10.  Вавилов В. С., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники. М. : Наука, 1988. 192 c.


Паклин Николай Николаевич – кандидат физико-математических наук, доцент кафедры теоретической физики; Сибирский федеральный университет. E-mail: npaklin@sfu-kras.ru.

Логинов Юрий Юрьевич – доктор физико-математических наук, профессор кафедры технической физики; Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева. E-mail: loginov@sibsau.ru.

Мозжерин Александр Владимирович – кандидат физико-математических наук, доцент кафедры Юнеско «Новые материалы и технологии»; Сибирский федеральный университет. E-mail:  amozzherin@sfu-kras.ru.

 


  Равновесное распределение дефектов в теллуриде кадмия до воздействия внешних факторов